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MG200Q2YS40

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MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

PDF MG200Q2YS40

Características Eléctricas: 200A/1200V/2U

Marca: No identificado

Cantidad
Agotado

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • High Input Impedance
  • High Speed :
  • tf=0.3us (Max.) @ Inductive Load
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat) = 3.6 V (Max.)
  • Enhancement-Mode
  • Includes a Complete Half Bridge in One Package
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Marca:

No identificado

Características electricas: 200A/1200V/2U

Toshiba * Transistor

Type : IGBT 200A 1200V DUAL
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Referencias Específicas

Nº Pieza fabricante (NPM)
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