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MG75J6ES50

$105.00
Sin impuestos

MODULO DE POTENCIA MOSFET

Última actualización

DatasheetMG75J6ES50

75A/600V/6U

No identificado

Cantidad
Agotado

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • High Input Impedance
  • 6 IGBTs built into 1 Package
  • Enhancement-Mode
  • High Speed :
  • tf=1.0us (Max.) (IC=75A)
  • trr=0.25us (Max.) (IF=75A)
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat) =2.70V (Max.) (IC=75A)

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control
MG75J6ES50

Referencias Específicas

Nº Pieza fabricante (NPM)
MG75J6ES50
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