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IRG4PF50WDPBF
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IRG4PF50WDPBF
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
- Optimized for use in Welding and Switch-Mode
- Power Supply applications
- Industry benchmark switching losses improve
- efficiency of all power supplies topologies
- 50% reduction of Eoff parameter
- Low IGBT conduction losses
- Lastest technology IGBT design offers tighter
- parameter distribution coupled with
- exceptional reliability
- IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast,
- ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use
- in bridge configurations
- Industry standar TO-247AC package
- Leads-Free
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
IRG4PF50WDPBF
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- IRG4PF50WDPBF
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