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GB75DA120UP

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PDF GB75DA120UP

Características Eléctricas: 75A/1200V/1U

Marca: No identificado

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  Política de entrega

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FeaturesAplicaciones
  • Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT)
  • Features
  • NPT generation V IGBT technology
  • Square RBSOA
  • HEXFRED low Qrr, low switching energy
  • Positive VCE(on) temperature coefficient
  • Fully isolated package
  • Speed 8 kHz to 60 kHz
  • Very low internal inductance (<5 nH typical)
  • Industry standar outline
  • UL aproved file E78996 RU

Marca:

No identificado

Características electricas: 75A/1200V/1U

Vishay IGBTs

Type : IGBT,SOT-227,1200V,75A,Single VS-GB75DA120UP
Type Single
Vces 1200 Volts DC
Ic 75 Amps
Vges +/- 20
Ices Max 0.25 MilliAmps
Iges Max 0.2 MicroAmps
Vge(th) Min/Max 4~6 Volts
Vce(sat) Max 3.8 Volts
Height (mm) 12
Width (mm) 38
Depth (mm) 25.5
Approvals UL
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GB75DA120UP

Referencias Específicas

Nº Pieza fabricante (NPM)
GB75DA120UP
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