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TRANSISTORES N MOS TRANSISTORES N MOS

PDF 2SK1119

Características Eléctricas: 4A/1000V/1U

Marca: No identificado

Cantidad
Agotado

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • Silicon N Channel MOS FET
  • Features
  • Low drain-source ON resistance : RDS (ON)= 3.0 Ohms (typ.)
  • High forward transfer admittance : Yfs = 2.0 S (typ.)
  • Low leakage current : IDSS= 300uA (max) (VDS=800 V)
  • Enhancement mode : Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS=10 V, ID= 1 mA)

Marca:

No identificado

Características electricas: 4A/1000V/1U

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