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2SD2562
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2SD2562
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Silicon NPN Darlington Power Transistor
- Collector-Emitter Breakdown Voltage- : VBR(CEO)= 150 V (Min)
- High DC Current Gain- : hfe= 5000(min) @ (IC=10A, VCE=4V)
- Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)=2.5V(Max)@(IC=10A, IB=10mA)
- Complement to type 2SB1649
Aplications
- Applications
- Designed for series regulator and general purpose
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Riferimenti Specifici
- MPN
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