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MODULOS IGBT

Última actualización

Datasheet2SJ438

5A/600V/1U

No identificado

Quantità
Non disponibile

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE
  • 4V Gate Drive
  • Low Drain-Source ON Resistence . RDS(ON)=0.16 OHMS (Typ)
  • High Forward Transfer Admittance . |Yfs|=4.0S (Typ.)
  • Low Leakage Current . IDSS =-100uA (Max.) (VDS=-60V)
  • Enhancement-Mode . Vth=-0.8 @ 2.0V (VDS=-10V , ID=-1mA)

Aplications

  • Applications
  • High Speed
  • High Current Switching
  • DC-DC Converter
  • Relay Drive And Motor Drive
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Riferimenti Specifici

MPN
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