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MG50M2CK1

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MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

PDF MG50M2CK1

Características Eléctricas: 50A/1000V/2H

Marca: No identificado

Quantità
Non disponibile

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED GTR MODULE
  • Feartures
  • The Collector is Isolated from Case
  • 2 Power Transistors and 2 Free Wheeling Diodes are Built-in to 1 Package
  • High DC Current Gain : hFE=100 (min,) (IC=50A)
  • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=2.5V (Max.) (IC=50A)
  • Applications
  • HIGH POWER SWITCHING
  • MOTOR CONTROL

Marca:

No identificado

Características electricas: 50A/1000V/2H

Toshiba * Transistor

Type : TRANSISTOR
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ventas@ims-refacciones-industriales.com
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Riferimenti Specifici

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