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MG300Q1US11

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MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

PDF MG300Q1US11

Características Eléctricas: 300A/1200V/1U

Marca: No identificado

Quantità
Non disponibile

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • High input impedance
  • High speed :
  • tf= 1.0us (Max.) trr=0.5us (Max.)
  • Low saturation voltage :
  • VCE(sat) = 2.7V (Max.)
  • Enhancement mode
  • The electrodes are isolated from case
  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Marca:

No identificado

Características electricas: 300A/1200V/1U

Toshiba * Transistor

Type : TRANSISTOR
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ventas@ims-refacciones-industriales.com
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Riferimenti Specifici

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