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BSM100GB120DN2FE3256
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TRANSISTORES GU-E FOTO MOS
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BSM100GB120DN2FE3256100A/1200V/2U
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Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- IGBT Power Module
- Half-bridge
- Including fast free-wheeling diodes
- Package with insulated metal base plate
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
Infineon, Formerly Eupec IGBTs, 62mm Series
Infineon, Formerly Eupec
BSM100GB120DN2FE3256
IGBT ; Type; Dual
Vces; 1200 Volts DC
Ic; 100 Amps
Vges +/-; 20
Ices Max; 2 MilliAmps
Iges Max; 0.2 MicroAmps
Vge(th) Min/Max; 4.5~6.5 Volts
Vce(sat) Max; 3 Volts
Circuit Type; Half-Bridge
Comments; Fast Switching Type, Special Type E3256 ;
BSM100GB120DN2FE3256
Riferimenti Specifici
- MPN
- BSM100GB120DN2FE3256
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