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MG50Q6ES11
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MG50Q6ES11
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- The Electrodes are Isolated from Case
- 6 IGBTs are Built Into 1 Package
- Enhancement-Mode
- Low Saturation Voltage :
- VCE(sat) = 4.0V (Max.)
- High Speed :
- tf = 0.5us (Max.)
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
MG50Q6ES11
Riferimenti Specifici
- MPN
- MG50Q6ES11
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