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MG50J1BS11
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MG50J1BS11
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- High Input Impedance
- High Speed : tf=1.0us(Max.) (IC=50A)
- Low Saturation Voltage :
- VCE(sat)=2.7V (Max.) (IC =50A)
- Enhancement-Mode
- The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG50J1BS11
IGBT 50A 600V SINGLE
MG50J1BS11
Riferimenti Specifici
- MPN
- MG50J1BS11
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