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MG50H1BS1
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MG50H1BS1
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- High Input Impedance
- High Speed : tf = 1.0 us (Max.)
- Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 5.0 V (Max.)
- Enhancement-Mode
- The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
- Applications
- HIGH POWER SWITCHING
- MOTOR CONTROL
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG50H1BS1
IGBT 50A 500V SINGLE
MG50H1BS1
Riferimenti Specifici
- MPN
- MG50H1BS1
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