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MG300Q1US11
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MG300Q1US11
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- High input impedance
- High speed :
- tf= 1.0us (Max.) trr=0.5us (Max.)
- Low saturation voltage :
- VCE(sat) = 2.7V (Max.)
- Enhancement mode
- The electrodes are isolated from case
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG300Q1US11
TRANSISTOR
MG300Q1US11
Riferimenti Specifici
- MPN
- MG300Q1US11
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