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MG200Q2YS40
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MG200Q2YS40
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- High Input Impedance
- High Speed :
- tf=0.3us (Max.) @ Inductive Load
- Low Saturation Voltage :
- VCE(sat) = 3.6 V (Max.)
- Enhancement-Mode
- Includes a Complete Half Bridge in One Package
- The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG200Q2YS40
IGBT 200A 1200V DUAL
MG200Q2YS40
Riferimenti Specifici
- MPN
- MG200Q2YS40
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