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MG200N1US1
105,00 $
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SCR - THYRISTOR CONTROL DE FASE
Última actualización
MG200N1US1200A/1000V/1U
No identificado
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- High Input Impedance
- High Speed : tf=1.0 us (Max.) trr=0.5us(Max.)
- Low Saturation Voltage : VCE(sat)=5.0 V (Max.)
- Enhancement-Mode
- The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
- Aplications
- High Powewr Switching
- Motor Control
MG200N1US1
Riferimenti Specifici
- MPN
- MG200N1US1
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