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MG100J6ES50
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MG100J6ES50
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- The electrodes are isolated from case
- High input impedance
- 6 IGBTs built into 1 package
- Enhancement-mode
- High speed tf=0.30us (Max) (IC=100A)
- trr = 0.15us (Max) (IF=100A)
- Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.70V (Max) (IC = 100A)
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Motor Control
MG100J6ES50
Riferimenti Specifici
- MPN
- MG100J6ES50
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