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MODULOS IGBT

Última actualización

Datasheet2SD256

4A/60V/1U

No identificado

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • Silicon NPN Power Transistor
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage
  • B(BR)CEO = 40V (Min)
  • Collector Power Dissipation
  • : Pc = 25W @ Tc= 25C
  • Minimum Lot-to-Lot variations robust device performance and reliable operation

Aplications

  • Applications
  • Designed for use in general purpose amplifier and switching
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Références spécifiques

MPN
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