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TRANSISTORES N MOS TRANSISTORES N MOS

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Características Eléctricas: 3A/1000V/1U

Marca: No identificado

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • SILICON N CHANNEL MOS TYPE
  • Features
  • Low Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)=3.0 Ohms (typ.)
  • High Forward Transfer Admittance : Yfs = 2.0 S (Typ.)
  • Low leakage Current : IDSS = 300 uA (Max.) (VDS=800V)
  • Enhancement-Mode : Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS=10V, ID=1mA)
  • Applications
  • High Speed
  • High Current Switching
  • DC-DC Converter
  • Motor Drive

Marca:

No identificado

Características electricas: 3A/1000V/1U

Toshiba * Transistor

Type : Mosfet, N-Channel, 1000V, 5A, TO-3PB
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Références spécifiques

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