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MP6801
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Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N & P CHANNEL MOS FET
- 4 Volt Gate Drive
- Package with Heat Sink Isolated to Lead (SIP 12 pin)
- High Drain Power Dissipation.
- PT = 40 W @ Tc = 25 C (6 Device Operation)
- Low Drain-Source ON Resistance :
- RDS (ON) = 55mOhms (Typ) (N-ch)
- 90mOhms (Typ) (P-ch)
- Low Leakage Current :
- IGSS = +- 10uA (Max) @ VDS = +- 16V
- IDSS = 100uA (Max) @ VDS = 60V
- Enhancement Mode :
- Vth = 0.8 - 2.0V @ ID = 1mA
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
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Références spécifiques
- MPN
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