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MG75Q2YS50

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MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

PDF MG75Q2YS50

Características Eléctricas: 75A/1200V/2U

Marca: No identificado

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • High input impedance
  • High speed :
  • tf = 0.3us (Max.) @ Inductive load
  • Low saturation voltage :
  • VCE(sat) = 3.6 V (Max.)
  • Enhancement-mode
  • Includes a complete half bridge in
  • one package
  • The electrodes are Isolated
  • from case
  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Marca:

No identificado

Características electricas: 75A/1200V/2U

Toshiba * Transistor

Type : IGBT 75A 1200V DUAL
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ventas@ims-refacciones-industriales.com
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Références spécifiques

MPN
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