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MG30G1BL2

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MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

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Características Eléctricas: 30A/600V/1U

Marca: No identificado

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED IGBT MODULE
  • Features
  • The Collector is Isolated from Ground
  • High DC Current Gain :
  • hfe = 100(Min.) (IC=30A)
  • Low Saturation Voltage:
  • VCE(sat)=2V (Max.) (IC=30A)
  • High Speed : tf=2us (Max.) (IC=30A)
  • Applications
  • High Power Switching

Marca:

No identificado

Características electricas: 30A/600V/1U

Toshiba * Transistor

Type : TRANSISTOR 30A 400V SINGLE
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ventas@ims-refacciones-industriales.com
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Références spécifiques

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