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MG300M1UK1

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MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

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Características Eléctricas: 300A/1000V/1U

Marca: No identificado

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • Electrodes are Isolated from the heat
  • sink (2500V AC)
  • High DC current Gain (hFE) (80 or 100 MIN.)
  • Low saturation voltage (2 or 2.5V maximum)
  • Wide safe operation area
  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Marca:

No identificado

Características electricas: 300A/1000V/1U

Toshiba * Transistor

Type : TRANSISTOR 300A 1000V SINGLE
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Références spécifiques

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