• Rupture de stock
mg200q2ys50
search
  • mg200q2ys50
  • mg200q2ys50

MG200Q2YS50

110,46 $
Aucune taxe

MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

PDF MG200Q2YS50

Características Eléctricas: 200A/1200V/2U

Marca: No identificado

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • High Input Impedance
  • Enhancement-Mode
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Marca:

No identificado

Características electricas: 200A/1200V/2U

Toshiba * Transistor

Type : IGBT 200A 1200V DUAL
Contáctanos para mas información sobre este u otros productos
ventas@ims-refacciones-industriales.com
MG200Q2YS50

Références spécifiques

MPN
MG200Q2YS50