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MG200N1US1

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MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

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Características Eléctricas: 200A/1000V/1U

Marca: No identificado

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • High Input Impedance
  • High Speed : tf=1.0 us (Max.) trr=0.5us(Max.)
  • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=5.0 V (Max.)
  • Enhancement-Mode
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • Aplications
  • High Powewr Switching
  • Motor Control

Marca:

No identificado

Características electricas: 200A/1000V/1U

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