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FS10ASJ-06
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FS10ASJ-06
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- High-Speed Switching N Channel MOS FET
- Drive voltage : 4 V
- VDSS : 60 V
- IDS(ON) (max) : 70mOhms
- Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP) : 30 ns
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
FS10ASJ-06
Références spécifiques
- MPN
- FS10ASJ-06
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