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MP6801

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MODULOS THYRISTOR THYRISTOR

Última actualización

DatasheetMP6801

10A/60V/6U

No identificado

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N & P CHANNEL MOS FET
  • 4 Volt Gate Drive
  • Package with Heat Sink Isolated to Lead (SIP 12 pin)
  • High Drain Power Dissipation.
  • PT = 40 W @ Tc = 25 C (6 Device Operation)
  • Low Drain-Source ON Resistance :
  • RDS (ON) = 55mOhms (Typ) (N-ch)
  • 90mOhms (Typ) (P-ch)
  • Low Leakage Current :
  • IGSS = +- 10uA (Max) @ VDS = +- 16V
  • IDSS = 100uA (Max) @ VDS = 60V
  • Enhancement Mode :
  • Vth = 0.8 - 2.0V @ ID = 1mA

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair
MP6801

Références spécifiques

MPN
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