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MG50Q2YS91

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VARIOS

Última actualización

DatasheetMG50Q2YS91

50A/1200V/2U

No identificado

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT GTR MODULE
  • High input impedance
  • High speed : tf = 1.0 us(Max.)
  • trr = 0.5 us (Max.)
  • Low saturation : VCE(sat) = 2.7 V (Max.)
  • Enhancement mode
  • The electrodes are isolated from case
  • Includes a complete half bridge card in one package

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair
MG50Q2YS91

Références spécifiques

MPN
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