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MG50Q1BS1

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VARIOS

Última actualización

DatasheetMG50Q1BS1

50A/1200V/1U

No identificado

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
  • High Input Impedance
  • High Speed : tr = 0.5 us (Max.)
  • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.0 V (Max.)
  • Enhancement-Mode
  • The Electrodes are Isolated from Case

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control
MG50Q1BS1

Références spécifiques

MPN
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