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MG30G1BL3

31,50 $
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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG30G1BL3

30A/600V/1U

No identificado

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED IGBT MODULE
  • The Collector is Isolated from Ground
  • High DC Current Gain :
  • hfe = 100(Min.) (IC=30A)
  • Low Saturation Voltage:
  • VCE(sat)=2V (Max.) (IC=30A)
  • High Speed : tf=2us (Max.) (IC=30A)

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG30G1BL3

TRANSISTOR 30A 450V SINGLE

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Références spécifiques

MPN
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