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MG200J2YS50

73,64 $
Aucune taxe

MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG200J2YS50

200A/600V/2U

No identificado

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • High Input Impedance
  • Includes a Complete Half Bridge in
  • One Package
  • Enhancement-Mode
  • High Speed :
  • tf=0.30us (Max.) (IC = 200A)
  • trr=0.15us (Max.) (IF = 200A)
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat)=2.70V (Max.) (IC =200A)

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG200J2YS50

IGBT 200A 600V DUAL

MG200J2YS50

Références spécifiques

MPN
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