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MG100J2YS1
65,63 $
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MG100J2YS1
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- High Input Impedance
- High Speed : tf=0.35us (Max) trr=0.25us (Max)
- Low Saturation Voltage : VCE(sat)=4.0V (Max)
- Enhancement-Mode
- Includes a Complete Half Bridge in one package
- The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG100J2YS1
IGBT 100A 600V DUAL
MG100J2YS1
Références spécifiques
- MPN
- MG100J2YS1
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