- Rupture de stock
IRG4BC30FDP
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Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
- Fast Optimized for medium operating
- frequencies ( 1 - 5 kHz in hard switching, >20
- kHz in resonant mode)
- Generation 4 IGBT design provides tighter
- parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
- IGBT co-package with HEXFRED ultrafast, ultra
- -soft, recovery anti-parallel diodes for use in
- bridge configurations
- Industry standar TO-220AB package
- Lead-Free
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
IRG4BC30FDP
Références spécifiques
- MPN
- IRG4BC30FDP
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