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GT50J325

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IGBT - IPM

Última actualización

DatasheetGT50J325

50A/600V/1U

No identificado

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • Silicon N Channel IGBT
  • The 4th generation
  • Enhancement-mode
  • Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)
  • High speed : tf=0.05uS (typ)
  • Low switching loss: Eon = 1.30 mJ (typ)
  • Eoff = 1.34 mJ (typ)
  • Low saturation Voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ)
  • FRD included between emitter and collector

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Fast Switching
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Références spécifiques

MPN
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