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G80N60

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MODULO THYRISTOR DIODO

Última actualización

DatasheetG80N60

80A/600V/1U

No identificado

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • Ultrafast IGBT
  • High speed switching
  • Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ Ic = 40 A
  • High input impedance
  • CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 50ns (typ.)

Aplications

  • Applications
  • AC & DC motor controls
  • general purpose inverters
  • robotics
  • servo controls
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Références spécifiques

MPN
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