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2SJ668
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Security policy
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Delivery policy
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Silicon P-Channel MOS
- 4 V gate drive
- Low drain-source ON-resistance : RDS (ON)= 0.12 Ohms (typ.)
- High forward transfer admittance : Yfs = 5.0 S (typ.)
- Low leakage current : IDSS = -100uA(max)(VDS =-60 V)
- Enhancement mode : Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -1mA)
Aplications
- Applications
- Relay Drive
- DC/DC Converter
- Motor Drive
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Referencias específicas
- MPN
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