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MG100J2YS1

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MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

PDF MG100J2YS1

Características Eléctricas: 100A/600V/2U

Marca: No identificado

Cantidad
Fuera de stock

  Security policy

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Delivery policy

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • High Input Impedance
  • High Speed : tf=0.35us (Max) trr=0.25us (Max)
  • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=4.0V (Max)
  • Enhancement-Mode
  • Includes a Complete Half Bridge in one package
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Marca:

No identificado

Características electricas: 100A/600V/2U

Toshiba * Transistor

Type : IGBT 100A 600V DUAL
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Referencias específicas

MPN
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