- Fuera de stock
SKM200GAL123DKLD110
328,13 $
Sin impuestos
SKM200GAL123DKLD110
Security policy
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Delivery policy
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- IGBT MODULE
- MOS input (voltage controlled)
- N channel, Homogeneous Si
- Low inductance case
- Very low tail current with low temperature dependende
- High short circuit capability, self limiting to 6 Icnom
- Latch-up free
- Fast & soft inverse CAL diodes
- Isolated copper baseplate using DCB Direct Copper Bonding Technology
- Large clearance (13mm) and creepage distances (20 mm)
Aplications
- Applications
- Switching ( not for linear use )
SKM200GAL123DKLD110
Referencias específicas
- MPN
- SKM200GAL123DKLD110
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