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SKM150GB125D

105,00 $
Sin impuestos

Última actualización

DatasheetSKM150GB125D

100A/1200V/2U

No identificado

Cantidad
Fuera de stock

  Security policy

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Delivery policy

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • Ultra Fast IGBT MODULE
  • N channel, homogeneous Silicon
  • structure (NPT-Non punch-through IGBT)
  • Ultra afst with heavy metal doping
  • Low inductance case
  • Almost no tail current
  • High short circuit capability, self limiting to 6 x Icnom
  • Latch-up free
  • Fast & soft inverse CAL diodes
  • Isolated copper baseplate using DCB Direct Copper Bonding Technology
  • Large clearance ( 12 mm ) and creepage distances ( 20 mm )

Aplications

  • Applications
  • Fast switching (not for linear use)
  • High frequency welding
  • Induction heating
  • Resonant inverters (CSI, ZV, ZC)
  • Uninterruptible power supplies > 20 kHz

Semikron IGBTs

Semikron

SKM150GB125D

IGBT 150A 1200V DUAL ; Type; Dual

Vces; 1200 Volts DC

Ic; 100 Amps

Vges +/-; 20

Ices Max; 2 MilliAmps

Iges Max; 1 MicroAmps

Vge(th) Min/Max; 4.5~6.5 Volts

Vce(sat) Max; 8 Volts

Height (mm); 30.5

Width (mm); 106.4

Depth (mm); 61.4

RoHS; Yes ;

SKM150GB125D

Referencias específicas

MPN
SKM150GB125D
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