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BSM100GB120DN2

84,16 $
Sin impuestos

TRANSISTOR VMOS DE POTENCIA

Última actualización

DatasheetBSM100GB120DN2

100A/1200V/2U

No identificado

Cantidad
Fuera de stock

  Security policy

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Delivery policy

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • IGBT Power Module
  • Half-bridge
  • Including fast free-wheeling diodes
  • Package with insulated metal base plate

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

Infineon, Formerly Eupec IGBTs

Infineon, Formerly Eupec

BSM100GB120DN2

IGBT 100A 1200V DUAL ; Type; Dual

Vces; 1200 Volts DC

Ic; 100 Amps

Vges +/-; 20

Ices Max; 2 MilliAmps

Iges Max; 0.2 MicroAmps

Vge(th) Min/Max; 6.5 Volts

Vce(sat) Max; 3.7 Volts

Height (mm); 30.9

Width (mm); 106.4

Depth (mm); 61.4 ;

BSM100GB120DN2

Referencias específicas

MPN
BSM100GB120DN2
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