- Fuera de stock
MG600Q1US51
133,88 $
Sin impuestos
MG600Q1US51
Security policy
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Delivery policy
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- High input impedance
- High speed :
- tf=0.3us (Max.) @ Inductive load
- Low saturation voltage :
- VCE(sat) = 3.6 V (Max.)
- Enhancement-mode
- Includes a complete half bridge in
- one package
- The electrodes are isolated from case
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG600Q1US51
IGBT 600A 1200V SINGLE
MG600Q1US51
Referencias específicas
- MPN
- MG600Q1US51
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