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MG200Q2YS65H
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MG200Q2YS65H
Security policy
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Delivery policy
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- High Input Impedance
- High Speed :
- tf=0.3us (Max.) @ Inductive Load
- Low Saturation Voltage :
- VCE(sat) = 3.6V (Max.)
- Enhancement-Mode
- The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Motor Control
MG200Q2YS65H
Referencias específicas
- MPN
- MG200Q2YS65H
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