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MG15Q6ES50A

118,13 $
Sin impuestos

MODULOS DIODO DIODO

Última actualización

DatasheetMG15Q6ES50A

15A/1200V/6U

No identificado

Cantidad
Fuera de stock

  Security policy

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Delivery policy

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • 6 IGBTs Built Into 1 Package
  • Enhancemment-Mode
  • Low Saturation Voltage
  • VCE(sat) = 4.0V (Max.)
  • High Speed :
  • tf=0.5us(Max.)
  • trr=0.5us(Max.)

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG15Q6ES50A

IGBT, SIX-PACK, 1200V, 15A, LONGPIN

MG15Q6ES50A

Referencias específicas

MPN
MG15Q6ES50A
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