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MG100J6ES91

105,00 $
Sin impuestos

MODULOS DIODO DIODO

Última actualización

DatasheetMG100J6ES91

100A/600V/6U

No identificado

Cantidad
Fuera de stock

  Security policy

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Delivery policy

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • High Input Impedance
  • 6 IGBTs Built Into 1 Package
  • Enhancement-Mode
  • High Speed :
  • tf=0.30us (Max.) (IC = 100 A)
  • trr=0.15us (Max.) (IF = 100A)
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat) = 2.70V (Max.) (IC = 100 A)

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair
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Referencias específicas

MPN
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