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BDY27
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BDY27
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Features
- Silicon NPN Power Transistor
- Collector-Emitter Breakdown Voltage-
- V(BR)CEO=200 V (min)
- Collector-Emitter Saturation Voltage-
- VCE(sat)= 0.6 V (Max) @ Ic = 2 A
- High Switching Speed
Aplications
- Application
- Designed for LF signal power amplifier
BDY27
Referencias específicas
- MPN
- BDY27
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