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MG200Q2YS50

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MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

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Características Eléctricas: 200A/1200V/2U

Marca: No identificado

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  Política de entrega

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FeaturesAplicaciones
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • High Input Impedance
  • Enhancement-Mode
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Marca:

No identificado

Características electricas: 200A/1200V/2U

Toshiba * Transistor

Type : IGBT 200A 1200V DUAL
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