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RJH60F0DPK

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VARIOS

PDF RJH60F0DPK

Características Eléctricas: 25A/600V/1U

Marca: No identificado

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Out-of-Stock

  Política de seguridad

(Our products have limited warranty, please check our terms)

  Política de entrega

(Delivery 1-2 days for products in stock)

FeaturesAplicaciones
  • Silicon N Channel IGBT
  • Features
  • Low collector to emitter saturation voltage
  • VCE(sat) = 1.4 V typ. (at Ic = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C)
  • Built in fast recovery diode in one package
  • Trench gate and thin wafer technology
  • High speed switching
  • tf = 90 ns typ. (at Ic = 30 A, Vcc = 400 V, Vge = 15 V, Rg = 5 Ohms, Ta = 25 C, inductive load)

Marca:

No identificado

Características electricas: 25A/600V/1U

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