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UPA1501H
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UPA1501H
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- N-Channel Power MOS FET Array Transistor
- 4 V driving is possible
- Low On-state Resistance
- RDS(on)<= 0.42 Ohms Max. (VGS= 10 V, ID= 2 A)
- RDS(on)<=0.49 Ohms Max. (VGS = 4 V, ID = 2 A)
- Surge Absorber, built in
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
UPA1501H
Besondere Bestellnummern
- Hersteller-Teilenummer (MPN)
- UPA1501H
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