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2SJ412
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Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Silicon P Channel MOS Type
- 4-V gate drive
- Low drain-source ON resistance: RDS(ON)=0.15 Ohms (typ.)
- High forward transfer admittance : Yfs =7.7 S (typ.)
- Low leakage current : IDSS=-100 uA (max) (VDS=100V)
- Enhancement mode : Vth= -8 to -2.0 V (VDS= -10 V, ID= -1 mA)
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
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Besondere Bestellnummern
- Hersteller-Teilenummer (MPN)
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