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MG75Q2YS40

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MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

PDF MG75Q2YS40

Características Eléctricas: 75A/1200V/2U

Marca: No identificado

Menge
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • High input impedance
  • High speed :
  • tf = 0.5us (Max.)
  • trr = 0.5us (Max.)
  • Low saturation VCE(sat)=4.0V (Max.)
  • Enhancement mode
  • The electrodes are isolated from case
  • Includes a complete half btidge card
  • in one package
  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Marca:

No identificado

Características electricas: 75A/1200V/2U

Toshiba * Transistor

Type : IGBT 75A 1200V DUAL
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MG75Q2YS40

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
MG75Q2YS40

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